[据美国物理组织网站2021年5月14日报道]  随着晶体管的持续微细化，其传导电流的通道越来越窄，需要不断采用高电子迁移率材料。二硫化钼等二维材料是理想的高电子迁移率材料，但将其与金属导线互联时在接触界面会形成肖特基势垒，这种现象会抑制电荷流动。事实证明，使用半金属铋并结合两种材料之间的适当排列，可以降低导线与器件的接触电阻从而消除该问题，使得摩尔定律可以进一步延续。

该研究由美国麻省理工学院牵头，参研单位还包括美国加州大学伯克利分校、美国劳伦斯伯克利国家实验室、台积电公司、国立台湾大学和沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学。这项工作得到了美国国家科学基金会、美国陆军研究办公室、美国海军研究办公室以及美国能源部的支持。（国家工业信息安全发展研究中心 王巍）