3月10日，进化半导体（深圳）有限公司全资子公司--苏州燎塬半导体有限公司--通过提拉工艺和热场的改进，成功基于“无贵金属工艺”（PMF-Precious metal Free）制备出直径85mm ，即3英寸 (011)面 β-Ga2O3 掺锡n型导电单晶。

这是国际上首次报道基于“无贵金属”技术体系达到3英寸(011)晶体的纪录，也是目前国际上直拉工艺获得的最大(011)单晶。

图1 3英寸(011)面PMF工艺氧化镓晶体

氧化镓(011)晶面是日本NCT公司于2025年下半年推出的新型晶面，相较于主流的(001)晶面，(011)面对于产业应用有独特优势：

更低漏电：(001)面易形成线状位错，导致漏电流增大和击穿电压降低，而(011)面可减少位错对垂直电流方向漏电的影响。

更大耐压：(011)面更易制备高品质厚外延（漂移层），使器件耐压更高，而且易制备界面品质更高的欧姆接触，进一步提升耐压特性。

尤其值得注意的是，考虑到当前氧化镓衬底主要是通过导模法（铱）、铸造法（铱）、VB法（铂铑）等贵金属技术体系制备的，而近期铱已突破1850元/克，铂突破480元/克，铑近3000元/克，进化半导体布局的PMF无贵金属工艺技术路线（不使用铂/铱/铑等贵金属），前瞻性更为突出，已开始显现产业化优势。