3月31日，由山东大学牵头起草的《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》已完成委员会草案的编制，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止时间2026年4月14日，请联盟标委会正式成员关注秘书处邮件。 

本文件描述了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。

本文件适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。

新一代半导体材料研究院是教育部首批支持的战略科技创新平台，依托山东大学开展建设。研究院充分发挥学校在半导体材料研究领域的已有优势，通过整合校内微电子、物理、化学、材料、机械、控制、信息等优势学科力量，瞄准半导体材料技术未来发展方向，面向能源、信息、国防、轨道交通等领域的重大需求，重点开展碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、氮化铝等新一代宽禁带、超宽禁带半导体单晶材料及器件研究工作，旨在突破关键核心技术，支撑核心产业发展，推动我国新一代半导体、集成电路、信息技术的快速发展，满足国防安全和经济建设的重大需求。 

山东大学将研究院建设列为“双一把手工程”，举全校之力、集全校之智予以重点推进。作为学术特区，学校为研究院在校内新建1.2万平方米研发中心大楼，配备各类先进仪器设备，给予稳定的经费与政策支持。构建起“一中心多基地”的发展格局，围绕产业链部署创新链，与华为等龙头企业建立深度合作关系；组建起一支包括教育部“长江学者”特聘教授、国家杰出青年基金获得者、中组部“万人计划”入选者等在内的高端研究团队。研究院作为晶体材料国家重点实验室的重要支撑，将以更加开放的姿态和国际化的视野，珍视机遇，不辱使命，力争成为我国新一代半导体材料及器件产业化技术策源地。

 （来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟）