积塔半导体在4月2日于上海举办的“共创价值、协同增长”2026半导体技术创新研讨会期间，与英飞凌正式签署项目合作协议。

作为本次研讨会的核心亮点，积塔半导体与英飞凌正式签署项目合作协议，双方将围绕嵌入式非易失存储等领域深化技术协作，共同推动特色工艺代工能力升级。

据了解，积塔半导体目前已建成临港、徐汇两大生产基地，通过德国汽车工业质量标准A级审核，成为具备完整车规级芯片制造资质的特色工艺代工厂。公司秉持“诚信、创新、合作、共赢”的理念——以诚信为立身之本，对每一片晶圆负责；以创新为发展之源，在车规级SiC MOSFET、高压IGBT、先进BCD及40/28nm逻辑工艺等领域实现关键突破；以合作为聚力之要，开放拥抱产业链伙伴；以共赢为初心所向，致力于让合作伙伴在协同发展中收获价值。

会上，积塔半导体集中展示了在数模混合平台与综合性代工能力方面的最新成果，系统介绍了CMOS与BCD工艺平台的发展布局，明确提出构建方案化代工能力的技术路径。

在存储技术布局方面，积塔半导体已形成eFlash、SONOS、RRAM三条路线并行，为客户提供多元化选择。此次引入的SONOS技术，以其工艺兼容性好、集成成本低、量产数据充分的特点，进一步丰富了积塔在高可靠且成本敏感场景下的解决方案。依托持续完善的工艺体系，积塔可向客户提供“存储+控制+驱动+功率”的一站式代工服务，实现从单一工艺优势到方案化平台能力的跃升。